阻垢机理
信息来源：本站 | 发布日期：
2018-12-24
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关键词：阻垢剂抑制机制
通常它们会干扰成核或晶体生长，在成核阶段，阈值阻垢剂与形成水垢的离子结合，但与螯合剂不同，结合离子必须可与其反离子相互作用。这破坏了晶体形成的早期平衡阶段的离子簇，在它们达到成核的临界尺寸之前破坏它们。结果，离子解离，释放抑制剂以重复该过程。在生长阶段，生长抑制剂通过阻断晶体的活性边缘来减缓水垢的生长。
良好的晶体生长抑制剂对活性生长位点具有强亲和力，但在形成时应易于在晶体表面上扩散到其他活性位点。一旦抑制剂与晶格结合，晶体将形成得更慢并且变形。它们通常形状更圆，这使得它们不太可能粘附在表面上，更容易分散在整个系统中。在沉积阶段，分散剂防止新晶体聚集在一起形成大量的氧化皮材料。分散剂型抑制剂与表面相互作用并排斥其他带电粒子以防止结合。
所有阻垢剂都以“阈值”方式运行，即浓度低于直接与结垢离子反应所需的浓度，推荐用于现场部署的典型抑制剂浓度为5-50ppm。
